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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXMN10A11G N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： ZXMN10A11G

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN10A11G
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223 (Type DN)

--- 产品详情 ---

ZXMN10A11G 

产品简介
DIODES 的 ZXMN10A11G 该 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，这使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN10A11G
名称                    N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT223 (Type DN)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 350 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.5 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.4 nC
CISS Typ (pF) 274 pF


主要特征
快速切换速度
低门驱动器
低输入电容


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