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ZXMN10A25G N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： ZXMN10A25G

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN10A25G
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223 (Type DN)

--- 产品详情 ---

ZXMN10A25G 

产品简介
DIODES 的 ZXMN10A25G 这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN10A25G
名称                    N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT223 (Type DN)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 125 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.6 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 859 pF


主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏


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