ZXMN2A01F N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 ZXMN2A01F 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通状态降至最低电阻（RDS（ON））并且仍然保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN2A01F
名称                    N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT23

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.625 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 225 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.7 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3 nC
CISS Typ (pF) 310 pF

主要特征
低导通电阻
切换速度快
低阈值
低门驱动器
小型表面安装封装

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