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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXMN3A01Z N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： ZXMN3A01Z

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN3A01Z
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT89

--- 产品详情 ---

ZXMN3A01Z 

产品简介
DIODES 的 ZXMN3A01Z该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(on) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN3A01Z
名称                    N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT89


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.12 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5 nC


主要特征
低导通电阻
低阈值
切换速度快
低门驱动器


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