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ZXMN3AMC 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: ZXMN3AMC

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN3AMC
  • 名称 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 DFN3020B-8

--- 产品详情 ---

ZXMN3AMC 

产品简介
DIODES 的 ZXMN3AMC该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(on) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN3AMC
名称                    30V 双 N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    DFN3020B-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7, 3.0 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9 nC
CISS Typ (pF) 190 pF


主要特征
适用于精简应用程序的薄型封装
低RθJA,热效率封装6mm2
占地面积,比TSOP6和SOT23-6小50%
低导通电阻
切换速度快


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