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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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2N7002DWS 60V 双 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： 2N7002DWS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 2N7002DWS
  • 名称 60V 双 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

2N7002DWS 

产品简介
DIODES 的 2N7002DWS 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    2N7002DWS
名称                    60V 双 N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT363


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.247 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4100 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.9 nC
CISS Typ (pF) 41 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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