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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXMS6001N3 60V N通道自保护增强模式 MOSFET 开关

Diodes MOSFET 开关
型号： ZXMS6001N3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMS6001N3
  • 名称 60V N通道自保护增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223 (Type DN)

--- 产品详情 ---

ZXMS6001N3 

产品简介
DIODES 的 ZXMS6001N3 适用于VIN=5V应用的低输入电流自保护低侧MOSFET。单片过温、过电流、过电压（有源箝位）和ESD保护逻辑级功能。用作

通用开关。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMS6001N3
名称                    60V N通道自保护增强模式 MOSFET
产地                    台湾
封装                    SOT223 (Type DN)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
Polarity N
TAB Source
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 1.1
PD (W) 1.5
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 2000
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 675
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 36
EAS (mJ) 550
TJ (°C) 150


主要特征
低输入电流
具有自动重启功能的短路保护
过电压保护（有源箝位）
带自动重启的热关机
过电流保护
输入保护（ESD）
负载转储保护（主动保护负载）


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