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ZXMS6005DG 60V N 沟道自保护增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： ZXMS6005DG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMS6005DG
  • 名称 60V N 沟道自保护增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223 (Type DN)

--- 产品详情 ---

ZXMS6005DG 

产品简介
DIODES 的 ZXMS6005DG 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 IntelliFET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6005DG 非常适合作为在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMS6005DG
名称                    60V N 沟道自保护增强型 MOSFET
产地                    台湾
封装                    SOT223 (Type DN)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
Polarity N
TAB Drain
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 2
PD (W) 3
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 250
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 200
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 24
EAS (mJ) 490
TJ (°C) 150


主要特征
紧凑型高功耗封装
低输入电流
逻辑电平输入（3.3V 和 5V）
具有自动重启功能的短路保护
过压保护（有源钳位）
带自动重启功能的热关断
过流保护
输入保护（ESD）
高连续额定电流


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