--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 D3V3S1B2LP
- 名称 高浪涌双向 TVS 二极管
- 产地 台湾
- 封装 X1-DFN1006-2
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 D3V3S1B2LP 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合便携式应用,例如蜂窝电话、数码相机和 MP3 播放器。
产品规格
品牌 DIODES
型号 D3V3S1B2LP
名称 高浪涌双向 TVS 二极管
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-2
产品参数
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 40
AEC Qualified No
Configuration Single (Bi-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 100 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 3.3 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 3.8 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(µA) 10 µA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 9.5 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) ±30 kV
主要特征
薄型封装(最大 0.53 毫米)和超小 PCB 占用面积(最大 1.08 毫米 x 0.68 毫米),适用于紧凑型便携式电子产品
提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护:空气 ±30kV,接触 ±30kV
1路ESD保护
低通道输入电容
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