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D8V0H1B2LPQ 低电容双向 TVS 二极管

型号: D8V0H1B2LPQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 D8V0H1B2LPQ
  • 名称 低电容双向 TVS 二极管
  • 产地 台湾
  • 封装 X1-DFN1006-2

--- 产品详情 ---

D8V0H1B2LPQ  

产品简介
DIODES 的 D8V0H1B2LPQ 这是一款双向 ESD 保护器,结合了小尺寸和高 ESD 浪涌能力,用于保护电子系统的电源线、控制线或低速数据线,在瞬态条件下,专有的钳位可防止过压在电源或控制或数据线上,保护下游组件。它有效地单线接口抵御 30kV 静电放电(IEC61000-4-2 标准)。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    D8V0H1B2LPQ
名称                    低电容双向 TVS 二极管
产地                    台湾
封装                    X1-DFN1006-2

 

产品参数
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Automotive
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 19
AEC Qualified Yes
Configuration Bi-Directional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 55 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 8 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 8.5 V
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 20 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) ±30 kV


主要特征
小封装(1.00mm、0.60mm、0.50mm)节省电路板空间
根据 IEC61000-4-2 标准提供 ESD 保护:空气 ±30kV,接触 ±30kV
一根线路双向ESD保护
低钳位电压
高浪涌鲁棒性 I PP = 19A(8/20ms 脉冲)


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