DXT2011P5Q 100V NPN中功率 低饱和 晶体管

产品简介
DIODES 的DXT2011P5Q这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的要求。

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DXT2011P5Q
名称                    100V NPN中功率 低饱和 晶体管
产地                    台湾
封装                    PowerDI®5

产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3.2
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 2
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 65
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130

主要特征
BVCEO > 100V
IC = 6A 高连续集电极电流
ICM = 10A 峰值集电极电流
PD高达3.2W
比SOT223小43%；比 TO252 小 60%
最大高度仅为1.1mm

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