--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DXT5551P5Q
- 名称 160V NPN高压 晶体管
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI®5
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的DXT5551P5Q这种双极结型晶体管(BJT)设计用于满足汽车应用的要求。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DXT5551P5Q
名称 160V NPN高压 晶体管
产地 台湾
封装 PowerDI®5
产品参数
Category High Voltage Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 160
IC (A) 0.6
ICM (A) -
PD (W) 1.2
hFE (Min) 80
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 0.05
VCE(sat) Max (mV) 150
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.01/1
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 0.05/5
fT (MHz) 130
主要特征
BVCEO > 160V
IC = 0.6A 高连续集电极电流
PD高达2.25W
比SOT223小43%;比 TO252 小 60%
最大高度仅为1.1mm
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