产品简介
DIODES 的DXTN10060DFJBQ这款采用先进的工艺能力来最大限度地提高这款 60V、NPN 晶体管的性能。U-DFN2020-3（B 型）封装外形更小，降额高达 +175°C，可为功率密度至关重要的应用提供更高的耗散。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DXTN10060DFJBQ
名称 60V NPN 低饱和 晶体管
产地 台湾
封装 U-DFN2020-3 (Type B)
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4
ICM (A) 6
PD (W) 1.8
hFE (Min) 340
hFE (@ IC) (A) 0.2
hFE(Min 2) 140
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 60
主要特征
BVCEO > 60V
IC = 4A 连续集电极电流
低饱和电压（最大 100mV @1A）
RSAT = 60mΩ，可实现低等效导通电阻
hFE 指定高达 6A，可实现高电流增益保持
更严格的增益规格
适用于薄型应用的薄型 0.6mm 高封装
RθJA 效率比 SOT23 低 60%
4mm2 占地面积，比 SOT23 小 50%
额定温度 +175°C – 高温环境的理想选择
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