产品简介
DIODES 的DXTP3C100PSQ这款双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的严格要求。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DXTP3C100PSQ
名称 100V 175°C PNP 低SAT 高功率 晶体管
产地 台湾
封装 Power®DI5060-8
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 3
ICM (A) 8
PD (W) 2.5
hFE (Min) 170
hFE (@ IC) (A) 0.5
hFE(Min 2) 45
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 110
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 360
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/200
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 110
主要特征
BV CEO > -100V
I C = -3A 连续集电极电流
I CM = -8A 峰值脉冲电流
R CE(sat) = 110mΩ（典型值）
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
补充部件：DXTN3C100PDQ
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