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ZX5T951GQ 60V PNP 中功率 低饱和 晶体管

型号: ZX5T951GQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZX5T951GQ
  • 名称 60V PNP 中功率 低饱和 晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223

--- 产品详情 ---

ZX5T951GQ  

 产品简介
DIODES 的ZX5T951GQ这种双极结型晶体管(BJT)设计用于满足汽车应用的严格要求。


产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZX5T951GQ
名称                    60V PNP 中功率 低饱和 晶体管
产地                    台湾
封装                    SOT223

 

产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 100
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 130
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/200
fT (MHz) 120
RCE(sat) (mΩ) 40
Spice Model N/A

 

主要特征
BVCEO > -60V
IC = -5.5A 高连续集电极电流
ICM = -15A 峰值脉冲电流
低饱和电压 VCE(sat) < -70mV @ -1A
RSAT = 39mΩ,可实现低等效导通电阻
hFE 指定高达 -10A,可实现高增益保持
互补 NPN 类型:ZX5T851GQ

 

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