WD4000半导体晶圆检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。
1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；
2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；
3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；
4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。
测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、WD4000半导体晶圆检测设备提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
部分技术规格
品牌：CHOTEST中图仪器
型号：WD4000系列
厚度和翘曲度测量系统
可测材料：砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
测量范围：150μm~2000μm
扫描方式：Fullmap面扫、米字、自由多点
测量参数：厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度
三维显微形貌测量系统
测量原理：白光干涉
干涉物镜：10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)
可测样品反射率：0.05%~100%
粗糙度RMS重复性：0.005nm
测量参数：显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数
膜厚测量系统
测量范围：90um(n= 1.5)
景深：1200um
最小可测厚度：0.4um
红外干涉测量系统
光源：SLED
测量范围：37-1850um
晶圆尺寸：4"、6"、8"、12"
晶圆载台：防静电镂空真空吸盘载台
X/Y/Z工作台行程：400mm/400mm/75mm
如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，WD4000半导体晶圆检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
