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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SUD50P04-09L-E3-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号: SUD50P04-09L-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 最大耐压 -40V
  • 最大漏极电流 -65
  • 导通时的电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
  • 栅极电压(Vgs)范 ±20V
  • 封装 TO252
  • 类型 P沟道

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管,具有以下参数 
- 最大耐压 -40V
- 最大漏极电流 -65A
- 导通时的电阻(RDS(ON)) 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs)范围 ±20V
- 阈值电压(Vth) -1.6V
- 封装 TO252

该产品适用于以下领域模块 
- 开关电源 可以应用于电源开关、DC-DC转换器和逆变器等电源模块中,用于实现高效的功率转换。
- 驱动电路 可用于电机驱动、电磁阀驱动和电机控制等模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。
- 电池管理 在电池管理模块中,可以使用SUD50P04-09L-E3来实现电池的充放电控制,提供强大的功率开关能力。
- 功率放大器 在需要放大电流的模块中,SUD50P04-09L-E3可以作为输出级别的功率放大器,提供高电流和低电阻的特性。

综上所述,SUD50P04-09L-E3适用于开关电源、驱动电路、电池管理和功率放大器等领域模块。
 

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