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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SiA400EDJ-T1-GE3-VB-DFN6(2X2)封装P沟道MOSFET

型号: SiA400EDJ-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 最大耐压 30V
  • 最大漏极电流 5.8A
  • 导通时的电阻(RDS 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
  • 栅极电压 (Vgs)范围 ±20V
  • 阈值电压(Vth) 1.2V
  • 封装 DFN6 (2X2)

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管,具有以下参数 
- 最大耐压 30V
- 最大漏极电流 5.8A
- 导通时的电阻(RDS(ON)) 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs)范围 ±20V
- 阈值电压(Vth) 1.2V
- 封装 DFN6 (2X2)

该产品适用于以下领域模块 
- 电源开关 SiA400EDJ-T1-GE3可以用作电源开关模块中的主要器件,用于电源的控制和转换。
- 电机驱动 适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。
- 电源管理 在电源管理模块中,可用于实现电源开关、电源保护和电源管理等功能。
- LED照明 可以应用于LED照明模块中,实现对LED灯的驱动和亮度控制。

综上所述,SiA400EDJ-T1-GE3适用于电源开关、电机驱动、电源管理和LED照明等领域模块。
 

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