--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 7A
- 导通电阻 25mΩ @10V, 38mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.5Vth
- 封装 SOT223
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 NDT451AN丝印 VBJ1322品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 25mΩ @10V, 38mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 SOT223应用简介 NDT451AN是一款N沟道MOSFET,适用于需要中等电压和电流的应用。其最大耐压为30V,最大电流为7A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多种领域的模块设计,包括但不限于 1. 电源管理模块 可用于低功耗电源管理,如手机充电器和便携式电源。2. 电流控制模块 可用于电流调节和负载开关控制。3. 电动工具 可用于驱动电动工具中的开关和控制模块。总之,NDT451AN适用于中等电压和电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电流控制和电动工具等。
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