企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造，致力于服务中高端市场的终端制造商

1.1w 内容数 24w+ 浏览量 7 粉丝

MTD6P10ET4-VB-TO252封装P沟道MOSFET

MOS管
型号： MTD6P10ET4-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 频道类型 P沟道
  • 额定电压 100V
  • 额定电流 10A
  • RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ4.5V
  • 门源电压范围 ±20V
  • 门源阈值电压 1.77V
  • 封装类型 TO252

--- 数据手册 ---

MTD6P10ET4.pdf

--- 产品详情 ---

型号 MTD6P10ET4丝印 VBE2102M品牌 VBsemi参数  频道类型 P沟道 额定电压 100V 额定电流 10A RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.77V 封装类型 TO252应用简介 MTD6P10ET4（丝印 VBE2102M）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 MTD6P10ET4是一款高压、高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为100V，额定电流为10A，RDS(ON)为188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.77V，封装类型为TO252。应用领域 MTD6P10ET4（VBE2102M）适用于多种领域和应用场景，特别适用于需要P沟道功率MOSFET的高压、高电流电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 MTD6P10ET4可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 高电压电池系统 它可应用于高电压电池系统中的充放电控制电路，提供高功率和高效率的电能转换和电池管理。3. 电动车充电桩 MTD6P10ET4适用于电动车充电桩中的开关电路，实现高效能的电能转换和稳定的电流控制。4. 工控系统和通信设备 MTD6P10ET4适用于工控系统和通信设备中的电源管理和电流控制，提供可靠的功耗控制和电流输出。综上所述，MTD6P10ET4（VBE2102M）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、高电压电池系统、电动车充电桩、工控系统和通信设备等领域模块。它具有高压、高电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
 

为你推荐

产品