FDG6321C详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A / 1.5A 导通电阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280mΩ @ 2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 ±0.6~2Vth (V) 封装类型 SC706应用简介 FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，同时包含了N沟道和P沟道的特性，在各种电源管理和功率放大器应用中具有广泛的应用范围。该器件具有较高的额定电压和额定电流，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。FDG6321C采用SC706封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场合中使用。该器件广泛用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器以及需要同时使用N沟道和P沟道MOSFET的场合。在这些领域中，FDG6321C能够提供可靠的功率开关控制和多通道电流传输，实现高效能的电流开关操作。总之，FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要同时控制正负电压的场合，例如电源开关、电机驱动器等领域。
--- 产品参数 ---
- 极性 N+P沟道
- 额定电压 ±20V
- 额定电流 2.5A / 1.5A
- 导通电阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 ±0.6~2Vth (V)
- 封装类型 SC706
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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