--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 40V
- 最大电流 65A
- 导通电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SUD50P0408GE3丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 SUD50P0408GE3是一款P沟道MOSFET,适用于高功率开关和负极电压控制的应用。其最大耐压为40V,最大电流为65A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多种应用领域的模块设计,包括但不限于 1. 电源管理模块 适用于高功率DCDC转换器、逆变器以及汽车电子中的负极电源控制。2. 转换器模块 适用于高电压转换器和高电流负载开关的输出调节。3. 电动工具 可用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之,SUD50P0408GE3适用于要求高功率开关和负极电压控制的领域模块设计,包括电源管理、转换器模块以及电动工具等领域。
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