型号 SI2318DST1GE3 丝印 VB1330 品牌 VBsemi 参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1.2V~2.2V 封装类型 SOT23应用简介 SI2318DST1GE3（丝印 VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 SI2318DST1GE3是一款N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用。其主要参数包括额定电压为30V，额定电流为6.5A，RDS(ON)为30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1.2V~2.2V，封装类型为SOT23。应用领域 SI2318DST1GE3（VB1330）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 SI2318DST1GE3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3. 电池管理系统 SI2318DST1GE3可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。4. 工控系统和通信设备 SI2318DST1GE3适用于工控系统和通信设备中的开关电路，提供稳定的电源管理和电流控制。综上所述，SI2318DST1GE3（VB1330）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有低电阻和高电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压范围 1.2V~2.2V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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