型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.3Vth 封装 TO252应用简介 2SJ668是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的高功率应用。其最大耐压为60V，最大电流为38A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于需要负极电压控制的高功率DCDC转换器、逆变器等。2. 高功率负载开关 可用于高功率负载开关和电源控制器。3. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之，2SJ668适用于负极电压控制和高功率负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、高功率负载开关和汽车电子模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 38A
- 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.3Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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