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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF540NSTRPBF-VB-TO263封装N沟道MOSFET

型号: IRF540NSTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 最大耐压 100V
  • 最大漏极电流 45A
  • 导通时的电阻 (RDS(ON)) 32mΩ@10V, 34mΩ4.5V
  • 栅极电压(Vgs)范 ±20V
  • 阈值电压(Vth) 2V
  • 封装 TO263

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 IRF540NSTRPBF丝印 VBL1104N品牌 VBsemi参数 N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO263该产品具有以下详细参数说明  类型 N沟道功率场效应管 最大耐压 100V 最大漏极电流 45A 导通时的电阻(RDS(ON)) 32mΩ@10V, 34mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 2V 封装 TO263该产品适用于以下领域模块  电源开关 IRF540NSTRPBF可用于电源开关模块中,用于实现电源的控制和转换。 电机驱动 适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。 汽车电子 可以应用于汽车电子模块中,实现电路的控制和驱动。 工业控制 适用于工业控制系统中的电路控制和功率放大模块。综上所述,IRF540NSTRPBF适用于电源开关、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域模块。
 

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