--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 100V
- 最大漏极电流 45A
- 导通时的电阻 (RDS(ON)) 32mΩ@10V, 34mΩ4.5V
- 栅极电压(Vgs)范 ±20V
- 阈值电压(Vth) 2V
- 封装 TO263
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 IRF540NSTRPBF丝印 VBL1104N品牌 VBsemi参数 N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO263该产品具有以下详细参数说明 类型 N沟道功率场效应管 最大耐压 100V 最大漏极电流 45A 导通时的电阻(RDS(ON)) 32mΩ@10V, 34mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 2V 封装 TO263该产品适用于以下领域模块 电源开关 IRF540NSTRPBF可用于电源开关模块中,用于实现电源的控制和转换。 电机驱动 适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。 汽车电子 可以应用于汽车电子模块中,实现电路的控制和驱动。 工业控制 适用于工业控制系统中的电路控制和功率放大模块。综上所述,IRF540NSTRPBF适用于电源开关、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域模块。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N