--- 产品参数 ---
- 类型 2个N沟道
- 最大耐压 30V
- 最大漏极电流 8.5A
- 导通时的电阻 20mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs) ±20V
- 阈值电压(Vth) 1.5V
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AO4818丝印 VBA3316品牌 VBsemi参数 2个N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V);SOP8该产品具有以下详细参数说明 类型 2个N沟道功率场效应管 最大耐压 30V 最大漏极电流 8.5A 导通时的电阻(RDS(ON)) 20mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 1.5V 封装 SOP8该产品适用于以下领域模块 电源开关 AO4818可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。 电流控制 适用于需要控制电流的模块,提供稳定的电流放大和电路控制能力。 电压稳定 可用于电压稳定模块,提供稳定的输出电压和电路控制。 电源管理 适用于电源管理模块中,实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。综上所述,AO4818适用于电源开关、电流控制、电压稳定和电源管理等领域模块。
为你推荐
-
AP01N40J-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:18
产品型号:AP01N40J-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP01N40H-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:16
产品型号:AP01N40H-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP01N40G-HF-VB一款Single-N沟道SOT89的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:15
产品型号:AP01N40G-HF-VB 封装:SOT89 沟道:Single-N -
AP01N15GK-HF-VB一款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:14
产品型号:AP01N15GK-HF-VB 封装:SOT223 沟道:Single-N -
AP01L60T-VB一款Single-N沟道TO92的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:13
产品型号:AP01L60T-VB 封装:TO92 沟道:Single-N -
AP01L60J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:12
产品型号:AP01L60J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP01L60J-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:11
产品型号:AP01L60J-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP01L60H-H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:10
产品型号:AP01L60H-H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP01L60H-A-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:08
产品型号:AP01L60H-A-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP01L60AT-VB一款Single-N沟道TO92的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 11:07
产品型号:AP01L60AT-VB 封装:TO92 沟道:Single-N