--- 产品参数 ---
- 频道类型 N+P沟道
- 额定电压 ±30V
- 额定电流 10A / 8A
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.72V / 1.44V
- 封装类型 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 FDS8858CZNL丝印 VBA5311品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21mΩ @ 10V,13mΩ / 28mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.72V / 1.44V 封装类型 SOP8应用简介 FDS8858CZNL(丝印 VBA5311)是VBsemi公司生产的一款N+P沟道MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 FDS8858CZNL是一款N+P沟道MOSFET,具有高额定电流和低导通电阻特性。主要参数包括额定电压为±30V,额定电流为10A(N沟道) / 8A(P沟道),RDS(ON)为11mΩ / 21mΩ @ 10V,13mΩ / 28mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.72V / 1.44V,封装类型为SOP8。应用领域 FDS8858CZNL(VBA5311)广泛适用于不同领域和应用场景,特别适用于需要N+P沟道MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 FDS8858CZNL可应用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供高功率和高效能的电力输出。3. 汽车电子系统 FDS8858CZNL可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。综上所述,FDS8858CZNL(VBA5311)是一款N+P沟道MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、汽车电子系统等领域模块。它具有高额定电流和低导通电阻的特点,适用于需要高功率和高效能的电路。
为你推荐
-
AUF1018ES-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:04
产品型号:AUF1018ES-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010Z-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:03
产品型号:AUF1010Z-VB 封装:Single-N 沟道:TO220 -
AUF1010ZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:01
产品型号:AUF1010ZS-VB 封装:Single-N 沟道:TO263 -
AUF1010ZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:00
产品型号:AUF1010ZL-VB 封装:TO262 沟道:Single-N -
AUF1010EZ-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:59
产品型号:AUF1010EZ-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AUF1010EZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:56
产品型号:AUF1010EZS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010EZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:54
产品型号:AUF1010EZL-VB 封装:Single-N 沟道:TO262 -
ASM2201CTR-LF-VB一种SC70-3封装Single-P-Channel场效应管2025-01-02 14:53
产品型号:ASM2201CTR-LF-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
ARF448B-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:52
产品型号:ARF448B-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
APT8M80K-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:50
产品型号:APT8M80K-VB 封装:TO220 沟道:Single-N