型号 RSD050N10TL丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 RSD050N10TL是一款N沟道MOSFET，适用于高压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高压电源开关和DCDC变换器等。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和汽车驱动系统。3. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制器。总之，RSD050N10TL适用于高压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。
RSD050N10TL-VB-TO252封装沟道MOSFET
型号：
RSD050N10TL-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
