型号 IRF830A丝印 VBM16R08品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 600V 额定电流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 3V 封装类型 TO220应用简介 IRF830A（丝印 VBM16R08）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 IRF830A是一款具有高额定电压和电流承载能力的N沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为600V，额定电流为8A，RDS(ON)为780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为3V，封装类型为TO220。应用领域 IRF830A（VBM16R08）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 IRF830A可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 高压电源系统 IRF830A适用于需要高额定电压和电流承载能力的高压电源系统，如高压DC/DC转换器和高压逆变器。综上所述，IRF830A（VBM16R08）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和高压电源系统等领域模块。它具有高额定电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 600V
- 额定电流 8A
- RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 3V
- 封装类型 TO220
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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