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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NTD20P06LT4G-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号: NTD20P06LT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 频道类型 P沟道
  • 额定电压 60V
  • 额定电流 38A
  • RDS(ON) 61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V
  • 门源电压范围 ±20V
  • 门源阈值电压 1.3V
  • 封装类型 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 NTD20P06LT4G丝印 VBE2610N品牌 VBsemi参数  频道类型 P沟道 额定电压 60V 额定电流 38A RDS(ON) 61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.3V 封装类型 TO252应用简介 NTD20P06LT4G(丝印 VBE2610N)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 NTD20P06LT4G是一款具有高功率和低导通电阻的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为60V,额定电流为38A,RDS(ON)为61mΩ @ 10V,72mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.3V,封装类型为TO252。应用领域 NTD20P06LT4G(VBE2610N)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高功率和低导通电阻的P沟道MOSFET电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 NTD20P06LT4G可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 汽车电子系统 NTD20P06LT4G适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高功率和高效能的要求。综上所述,NTD20P06LT4G(VBE2610N)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高功率和低导通电阻的特点,适用于需要高功率和高效能的电路。
 

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