型号 B09N03A丝印 VBE1307品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 60A RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A（丝印 VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 B09N03A是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.6V，封装类型为TO252。应用领域 B09N03A（VBE1307）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 B09N03A可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 电动车辆 B09N03A适用于电动车辆中的电源管理和电机驱动等方面，满足电动车辆对高电流和高功率的要求。综上所述，B09N03A（VBE1307）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和电动车辆等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 60A
- RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.6V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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