型号 MMBF170LT1G丝印 VB162K品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 60V 额定电流(ID) 0.3A 开通电阻(RDS(ON)) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.6V 封装类型 SOT23应用简介 这款MMBF170LT1G MOSFET是一款低功率N沟道MOSFET，适用于低功率应用场景。它具有较低的工作电流和较高的额定电压，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电池管理模块 用于低功率电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。 小功率开关模块 用于低功率开关电路、低功率开关控制等低功率应用。 照明模块 用于低功率LED驱动、照明开关和控制电路等。 消费电子模块 用于低功率消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，MMBF170LT1G MOSFET适用于需要低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，特别适用于低功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压(VDS) 60V
- 额定电流(ID) 0.3A
- (RDS(ON)) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@
- 阈值电压(Vth) 1.6V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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