型号 IRLR3103TRPBF丝印 VBE1307品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 60A RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 IRLR3103TRPBF（丝印 VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 IRLR3103TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.6V，封装类型为TO252。应用领域 IRLR3103TRPBF（VBE1307）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电流承载能力和低导通电阻的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 IRLR3103TRPBF可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 汽车电子系统 IRLR3103TRPBF适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。综上所述，IRLR3103TRPBF（VBE1307）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 60A
- RDS(ON) 10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.6V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号：BUK661R9-40C-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号：BUK661R8-30C-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号：BUK661R6-30C-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号：BUK6610-75C-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号：BUK6607-55C-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号：BUK657-600B-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号：BUK657-500B-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号：BUK657-500A-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号：BUK657-450B-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号：BUK657-400B-VB 封装：TO220 沟道：Single-N