型号 ZVN2120GTA丝印 VBJ1201K品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 200V 额定电流(ID) 1A 开通电阻(RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 2~4V 封装类型 SOT223应用简介 这款ZVN2120GTA MOSFET是一款高压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力，适用于中功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 特别适用于高压开关电源、DCDC变换器、逆变器等中功率电源模块。 工业自动化模块 用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。 照明模块 适用于某些需要高压和中功率的照明驱动电路和控制模块。 电动车电池管理模块 在电动车充电、放电保护和电池管理等方面发挥作用。总之，ZVN2120GTA MOSFET适用于需要高压N沟道MOSFET进行中功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压(VDS) 200V
- 额定电流(ID) 1A
- (RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 2~4V
- 封装类型 SOT223
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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