型号 FDT86113LZ丝印 VBJ1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 5A 导通电阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 2~4Vth 封装 SOT223应用简介 FDT86113LZ是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 照明模块 可用于LED驱动和照明控制。3. 工业自动化模块 适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。总之，FDT86113LZ适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和工业自动化模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 100V
- 最大电流 5A
- 导通电阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 2~4Vth
- 封装 SOT223
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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