--- 产品参数 ---
- 极性 2个P沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 7A
- 导通电阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 1.5Vth (V)
- 封装类型 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
P06B03LVG详细参数说明 - 极性 2个P沟道- 额定电压 -30V- 额定电流 -7A- 导通电阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 阈值电压 -1.5Vth (V)- 封装类型 SOP8应用简介 P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗并提高系统效率。P06B03LVG采用SOP8封装,适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有负的额定电压和额定电流特性,P06B03LVG特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之,P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器等应用模块中,特别适用于需要控制和开关负电压的领域,如电源开关、电机驱动器等领域。
为你推荐
-
RQJ0458FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:48
产品型号:RQJ0458FQDQS-VB 封装 :SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0457FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:46
产品型号:RQJ0457FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0456FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:44
产品型号:RQJ0456FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0455FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:43
产品型号:RQJ0455FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0454FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:41
产品型号:RQJ0454FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0453FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:40
产品型号:RQJ0453FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0452FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:38
产品型号:RQJ0452FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0451FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:37
产品型号:RQJ0451FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0450FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:36
产品型号:RQJ0450FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0449FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:32
产品型号:RQJ0449FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel