--- 产品参数 ---
- 类型 2个N沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 8.5A
- 导通电阻 20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V
- 门阈电压 1.5Vth
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI4920DYT1E3丝印 VBA3316品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 8.5A 导通电阻 20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 SOP8应用简介 SI4920DYT1E3是一款具有两个N沟道MOSFET的器件,适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为30V,最大电流为8.5A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。2. 电动工具 可用于电动工具中的负载开关和电源控制。3. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。总之,SI4920DYT1E3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用领域的模块设计,包括电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
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