型号 NTS4101PT1G丝印 VBK2298品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 20V 额定电流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V 门源电压范围 12V 门源阈值电压范围 0.6V~2V 封装类型 SC703应用简介 NTS4101PT1G（丝印 VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 NTS4101PT1G是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为20V，额定电流为3A，RDS(ON)为98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V，门源电压范围为12V，门源阈值电压范围为0.6V~2V，封装类型为SC703。应用领域 NTS4101PT1G（VBK2298）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 NTS4101PT1G可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电池管理系统 它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。3. 低功耗应用 NTS4101PT1G也适用于低功耗应用中的电源开关和信号控制等方面。综上所述，NTS4101PT1G（VBK2298）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和低功耗应用等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 P沟道
- 额定电压 20V
- 额定电流 3A
- RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V
- 门源电压范围 12V
- 门源阈值电压范围 0.6V~2V
- 封装类型 SC703
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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