NTE4153NT1G详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 20V- 额定电流 1A- 导通电阻 200mΩ @ 4.5V, 230mΩ @ 2.5V- 门源电压 12Vgs (±V)- 阈值电压 0.6Vth (V)- 封装类型 SC75-3应用简介 NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现对电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。NTE4153NT1G采用SC75-3封装，适用于各种电路板和模块。该器件主要应用于低功率领域的电路控制、信号处理、电源开关和其他各种需要低功耗的场合。总之，NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和低功率应用。特别适用于低功率领域的电路控制、信号处理和电源开关等应用模块。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 20V
- 额定电流 1A
- 导通电阻 200mΩ @ 4.5V, 230mΩ @ 2.5V
- 门源电压 12Vgs (±V)
- 阈值电压 0.6Vth (V)
- 封装类型 SC753
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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