型号 SI3477DVT1GE3丝印 VB8338品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1V~3V 封装类型 SOT236应用简介 SI3477DVT1GE3（丝印 VB8338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 SI3477DVT1GE3是一款P沟道功率MOSFET，适用于具有低电压和低功耗的电路。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为4.8A，RDS(ON)为49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1V~3V，封装类型为SOT236。应用领域 SI3477DVT1GE3（VB8338）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的低功耗电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 SI3477DVT1GE3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电池管理系统 它适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。3. 便携式设备 SI3477DVT1GE3适用于便携式设备中的功率管理、电源开关、电池管理等方面。综上所述，SI3477DVT1GE3（VB8338）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电池管理系统和便携式设备等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于需要低功耗和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 P沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 4.8A
- RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压范围 1V~3V
- 封装类型 SOT236
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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