型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V 额定电流(ID) 60A 开通电阻(RDS(ON)) 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.71V 封装类型 TO252应用简介 这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 适用于高功率开关电源、DCDC变换器、逆变器等功率转换模块。 电机控制模块 适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。 高功率LED照明模块 适用于高功率LED照明驱动和控制模块。总之，FDD6637 MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 额定电压(VDS) 30V
- 额定电流(ID) 60A
- RDS(ON) 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 1.71V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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