型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高压电源开关和DCDC变换器等。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。3. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制器。总之，STD10NF10T4适用于高电压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 100V
- 最大电流 18A
- 导通电阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
4501GD-VB一款Dual-N+P沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:54
产品型号：4501GD-VB 封装：DIP8 沟道：Dual-N+P -
4501AGEM-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:32
产品型号：4501AGEM-VB 封装：SOP8 沟道：Dual-N+P -
4500M-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:31
产品型号：4500M-VB 封装：SOP8 沟道：Dual-N+P -
4500GM-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:30
产品型号：4500GM-VB 封装：SOP8 沟道：Dual-N+P沟 -
44N4LF6-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:29
产品型号：44N4LF6-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
44MIS8207-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:27
产品型号：44MIS8207-VB 封装：SOT23-6 沟道：Dual-N+N -
4440W-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:26
产品型号：4440W-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
443M-VB一款Single-P沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:25
产品型号：443M-VB 封装：SOT23-6 的：Single-P -
4438M-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:24
产品型号：4438M-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
4438GM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:22
产品型号：4438GM-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N