型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为18A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高压电源开关和DCDC变换器等。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。3. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制器。总之，STD10NF10T4适用于高电压和大电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 100V
- 最大电流 18A
- 导通电阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号：AP40T10GH-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号：AP40T10GH-HF-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号：AP40T03H-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号：AP40T03GS-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号：AP40T03GS-HF-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号：AP40T03GP-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号：AP40T03GP-HF-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号：AP40P03GP-VB 封装：TO220 沟道：Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号：AP40P03GJ-VB 封装：TO251 沟道：Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号：AP40P03GI-VB 封装：TO220F 沟道：Single-P