--- 产品参数 ---
- 额定电压(VDS) 60V
- 额定电流(ID) 4A
- RDS(ON) 76mΩ@10V, 85mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 1.53V
- 封装类型 SOT223
- 类型 N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 NIF5002NT1G丝印 VBJ1695品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 60V 额定电流(ID) 4A 开通电阻(RDS(ON)) 76mΩ@10V, 85mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.53V 封装类型 SOT223应用简介 这款NIF5002NT1G MOSFET是一款中功率N沟道MOSFET,适用于中功率应用场景。具有较高的额定电压和适中的额定电流,适用于中功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 适用于中功率开关电源、DCDC变换器、逆变器等中功率电源模块。 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中功率汽车电子模块。 工业控制模块 适用于工业控制系统中的功率开关和控制模块。总之,NIF5002NT1G MOSFET适用于需要中功率N沟道MOSFET的各种应用场景,提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能,特别适用于中功率应用的模块。
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