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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF9Z24NS-VB-TO263封装P沟道MOSFET

型号: IRF9Z24NS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 P沟道
  • 最大耐压 60V
  • 最大漏极电流 30A
  • RDS(ON) 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
  • 栅极电压(Vgs) ±20V
  • 阈值电压(Vth)范 1V至3V
  • 封装 TO263

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 IRF9Z24NS丝印 VBL2658品牌 VBsemi参数 P沟道,60V,30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);TO263该产品具有以下详细参数说明  类型 P沟道功率场效应管 最大耐压 60V 最大漏极电流 30A 导通时的电阻(RDS(ON)) 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth)范围 1V至3V 封装 TO263该产品适用于以下领域模块  电源开关 IRF9Z24NS可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。 电流控制 适用于需要控制电流的模块,提供稳定的电流放大和电路控制能力。 车辆电子 可用于车辆电子模块中,如汽车点火控制和电路保护。 电源管理 适用于电源管理模块中,实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。综上所述,IRF9Z24NS适用于电源开关、电流控制、车辆电子和电源管理等领域模块。
 

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