型号 BS250FTA丝印 VB264K品牌 VBsemi参数 P沟道,60V,0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.87Vth(V)；SOT23该产品具有以下详细参数说明 类型 P沟道功率场效应管 最大耐压 60V 最大漏极电流 0.5A 导通时的电阻（RDS(ON)） 3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范围 ±20V 阈值电压（Vth） 1.87V 封装 SOT23该产品适用于以下领域模块 低功耗应用 BS250FTA可用于低功耗电路模块，如传感器电路和小功率电源控制。 电池管理 适用于电池管理模块中的小功率应用，如电池保护电路和充放电控制。 照明控制 可用于照明控制模块中，实现对小功率照明设备的驱动和控制。 手持设备 适用于手持设备模块，如移动电话、数码相机和便携式电子设备中的电路控制和电源管理。综上所述，BS250FTA适用于低功耗应用、电池管理、照明控制和手持设备等领域模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大漏极电流 0.5A
- RDS(ON)） 3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V
- 栅极电压（Vgs）范 ±20V
- 阈值电压（Vth） 1.87V
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
6R520P-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:44
产品型号：6R520P-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
6R520E6-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:41
产品型号：6R520E6-VB TO220F 封装：TO220F 沟道：Single-N -
6R520E6-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:39
产品型号：6R520E6-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
6R520C6-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:38
产品型号：6R520C6-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-N -
6R520C6-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:36
产品型号：6R520C6-VB TO220F 封装：TO220F 沟道：Single-N -
6R520C6-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:35
产品型号：6R520C6-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
6R450E6-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:34
产品型号：6R450E6-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-N -
6R450E6-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:33
产品型号：6R450E6-VB TO220F 封装：TO220F 沟道：Single-N -
6R385P-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:25
产品型号：6R385P-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-N -
6R385P-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 10:24
产品型号：6R385P-VB TO220F 封装：TO220F 沟道：Single-N