型号 AP2306GN丝印 VB1240品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 6A 导通电阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V 门源电压 8Vgs (±V) 门阈电压 0.45~1Vth 封装 SOT23应用简介 AP2306GN 是一款 N沟道MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用。其最大耐压为20V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2. 照明模块 可用于LED驱动和照明控制。3. 手持设备 适用于手机、平板电脑等手持设备中的负载开关和电源控制。总之，AP2306GN 适用于低电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和手持设备等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 20V
- 最大电流 6A
- 导通电阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
- 门源电压 8Vgs (±V)
- 门阈电压 0.45~1Vth
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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