--- 产品参数 ---
- 极性 P沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 26A
- RDS(ON) 33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V
- 额定栅极源极电压(V 20V (±V)
- 阈值电压(Vth) 1.3V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻(RDS(ON)) 33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V 额定栅极源极电压(Vgs) 20V (±V) 阈值电压(Vth) 1.3V 封装类型 TO252应用简介 20P03是一款P沟道MOSFET,具有高电流能力和低导通电阻,适用于各种领域的模块应用。其特点包括高效性和稳定性,可以提供高效的功率开关和电流控制。主要应用领域 1. 电源模块 20P03可应用于各种电源模块中的开关电源、DCDC转换器和逆变器。其高电流能力和低导通电阻有助于提供高效的功率传输和稳定的电压输出。2. 电动工具 由于20P03具有较高的电流能力和低导通电阻,可以应用于电动工具的电路驱动和电流控制模块。它可以提供可靠的功率传输和高效的电池管理。3. 汽车电子模块 20P03适用于汽车电子模块中的电源管理、驱动控制和电流保护。其高电流能力和低导通电阻可以确保汽车系统的稳定性和安全性。4. 工业自动化 在工业自动化领域,20P03可用于电机控制、传感器接口和数据采集模块。其高电流能力和低导通电阻可以提供稳定的信号处理和精确的控制功能。综上所述,20P03适用于电源模块、电动工具、汽车电子模块和工业自动化等领域的模块应用。它具有高电流能力、低导通电阻和稳定性能,能够满足各种应用需求,并提供高效的功率开关和电流控制。
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