型号 NTR4170NT1G丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 30V- 最大电流 6.5A- 导通电阻 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 1.2~2.2Vth- 封装 SOT23应用简介 NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2. 照明模块 可用于LED驱动和照明控制。3. 消费电子模块 适用于手机、平板电脑和数码相机等消费电子设备中的功率管理。总之，NTR4170NT1G适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和消费电子模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 6.5A
- 导通电阻 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)-
- 门阈电压 1.2~2.2Vth-
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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