型号 IPD036N04LG-VB
丝印 VBE1405
品牌 VBsemi
N沟道
最大额定电压 40V
最大额定电流 85A
RDS(ON) 4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs（-V）
门阈电压 1.85V
封装类型 TO252
应用简介
IPD036N04LG-VB适用于许多领域的需求，如电源管理、电机驱动和逆变器等。
领域模块应用
1. 电源管理领域 该器件可用作电源管理模块中的电源开关，用于控制电源的开关和调节。
2. 电机驱动领域 IPD036N04LG-VB可用于电机驱动模块中，用于控制电机的转速和方向。
3. 逆变器领域 在逆变器模块中，IPD036N04LG-VB可用于控制电源的变换和调节，用于转换直流电源为交流电源。
总结
IPD036N04LG-VB是一款N沟道MOSFET器件，适用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域的模块中。其特点包括较高额定电流和低导通电阻，在相关领域的应用中提供可靠且高效的性能。
