"型号 FQD6N40CTM-VB
丝印 VBE165R07S
品牌 VBsemi
参数
沟道类型 N沟道
最大耐压 650V
最大持续电流 7A
开通电阻（RDS(ON)） 700mΩ @ 10Vgs
阈值电压（Vth） 3.5V
封装类型 TO252
应用简介
FQD6N40CTM-VB是一款高耐压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要处理高电压和高功率的电子应用。以下是它的一些主要应用领域
1. 开关电源模块 这款MOSFET的高耐压和合适的电流承受能力使其非常适合用于开关电源模块，如开关稳压器和离线电源适配器，用于高效地转换电源。
2. 电机驱动 FQD6N40CTM-VB可以用于电机驱动电路，如工业电机控制、电动汽车驱动和电动工具，以实现高功率的电机运行。
3. 电源逆变器 在需要高电压逆变的应用中，例如太阳能逆变器和电动汽车逆变器，这款MOSFET可以用于电源逆变电路，将直流电转换为交流电。
4. 高电压电源开关 由于其高耐压特性，FQD6N40CTM-VB也可用于高电压电源开关，用于控制电路的通断状态。
总之，FQD6N40CTM-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种需要处理高电压和高功率的电子应用。它在开关电源、电机驱动、电源逆变器和高电压电源开关等模块中都有广泛的用途
